IGLT65R035D2ATMA1 vs IMLT65R040M2HXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IGLT65R035D2ATMA1 بواسطة Infineon و IMLT65R040M2HXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IGLT65R035D2ATMA1 IMLT65R040M2HXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 TOLT CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench)
نوع الترانزستور N-Channel enhancement-mode GaN HEMT —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 47 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 154 W —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V 540 pF —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
العلبة PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Cooling Configuration Top-side cooled (TOLT) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Production Wafer Size 200 mm (8 inch) —
Technology — Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 57 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 143 A
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) — 40 mΩ
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) — 49 mΩ
Total Gate Charge QG — 28 nC
Output Charge QOSS @ 400 V — 53 nC
Output Energy EOSS @ 400 V — 7.2 µJ
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) — 268 W
Recommended Gate Drive Voltage VGS — 18 V (turn-off: 0 V or negative)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +150 °C
Qualification — JEDEC industrial
Packaging — Tape & Reel
Special Features — Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر