IGLT65R035D2ATMA1 vs IMLT65R040M2HXTMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGLT65R035D2ATMA1 द्वारा Infineon और IMLT65R040M2HXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 - 650V 47A CoolGaN™ G5 Transistor | Infineon

IGLT65R035D2ATMA1 - 650V 47A CoolGaN™ G5 Transistor | Infineon

IGLT65R035D2ATMA1 ✓ सक्रिय
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IMLT65R040M2HXTMA1 IMLT65R040M2HXTMA1 - 650V 57A 40mOhm CoolSiC G2 MOSFET | Infineon

IMLT65R040M2HXTMA1 - 650V 57A 40mOhm CoolSiC G2 MOSFET | Infineon

IMLT65R040M2HXTMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IGLT65R035D2ATMA1 IMLT65R040M2HXTMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 TOLT CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench)
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel enhancement-mode GaN HEMT —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 47 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 154 W —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V 540 pF —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
पैकेज PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Cooling Configuration Top-side cooled (TOLT) —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes —
Production Wafer Size 200 mm (8 inch) —
Technology — Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 57 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 143 A
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) — 40 mΩ
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) — 49 mΩ
Total Gate Charge QG — 28 nC
Output Charge QOSS @ 400 V — 53 nC
Output Energy EOSS @ 400 V — 7.2 µJ
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) — 268 W
Recommended Gate Drive Voltage VGS — 18 V (turn-off: 0 V or negative)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +150 °C
Qualification — JEDEC industrial
Packaging — Tape & Reel
Special Features — Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized

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