IGLT65R035D2ATMA1 vs IMLT65R040M2HXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IGLT65R035D2ATMA1 توسط Infineon و IMLT65R040M2HXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IGLT65R035D2ATMA1 IMLT65R040M2HXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 TOLT CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench)
نوع ترانزیستور N-Channel enhancement-mode GaN HEMT —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 47 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 154 W —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V 540 pF —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
بسته‌بندی PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Cooling Configuration Top-side cooled (TOLT) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Production Wafer Size 200 mm (8 inch) —
Technology — Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 57 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 143 A
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) — 40 mΩ
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) — 49 mΩ
Total Gate Charge QG — 28 nC
Output Charge QOSS @ 400 V — 53 nC
Output Energy EOSS @ 400 V — 7.2 µJ
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) — 268 W
Recommended Gate Drive Voltage VGS — 18 V (turn-off: 0 V or negative)
دمای اتصال کاری — -55 °C to +150 °C
Qualification — JEDEC industrial
Packaging — Tape & Reel
Special Features — Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت