IGLT65R035D2ATMA1 vs IMLT65R040M2HXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGLT65R035D2ATMA1 بذریعہ Infineon اور IMLT65R040M2HXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGLT65R035D2ATMA1 IMLT65R040M2HXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 TOLT CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel enhancement-mode GaN HEMT —
Drain-Source Voltage (Vdss) 650 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 47 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 154 W —
On-Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V 540 pF —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
پیکیج PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Cooling Configuration Top-side cooled (TOLT) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Production Wafer Size 200 mm (8 inch) —
Technology — Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 57 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 143 A
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) — 40 mΩ
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) — 49 mΩ
Total Gate Charge QG — 28 nC
Output Charge QOSS @ 400 V — 53 nC
Output Energy EOSS @ 400 V — 7.2 µJ
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) — 268 W
Recommended Gate Drive Voltage VGS — 18 V (turn-off: 0 V or negative)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +150 °C
Qualification — JEDEC industrial
Packaging — Tape & Reel
Special Features — Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں