IPB019N08N3GATMA1 vs IRFB7545PBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB019N08N3GATMA1 بواسطة Infineon و IRFB7545PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPB019N08N3GATMA1 | IRFB7545PBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V | — |
| Drive Voltage (Rds On Max) | 6 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V | 206 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14.2 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 3.84 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 3.84 nF | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) | TO-220AB (Through-Hole) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Through Hole (THT) |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Part Number | — | IRFB7545PBF |
| Polarity | — | N-Channel |
| VDS (Drain-Source Voltage) max | — | 60 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 380 A |
| Single-Pulse Avalanche Current (IAS) | — | 57 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Lead-Free, PBF suffix) |
| مستوى MSL | — | N/A (Through-Hole) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |