IPB019N08N3GATMA1 vs IRFB7545PBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IPB019N08N3GATMA1 bằng Infineon và IRFB7545PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 - 80V 180A 1.9mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPB019N08N3GATMA1 - 80V 180A 1.9mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPB019N08N3GATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IRFB7545PBF IRFB7545PBF - 60V 95A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB7545PBF - 60V 95A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB7545PBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPB019N08N3GATMA1 IRFB7545PBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 180 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 300 W —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 3.5 V —
Drive Voltage (Rds On Max) 6 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V 206 nC —
Input Capacitance (Ciss) 14.2 nF —
Output Capacitance (Coss) 3.84 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 3.84 nF —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) TO-220AB (Through-Hole)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Through Hole (THT)
Trạng thái RoHS Compliant —
Part Number — IRFB7545PBF
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 380 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-Free, PBF suffix)
Cấp MSL — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá