IPB019N08N3GATMA1 vs IRFB7545PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB019N08N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IRFB7545PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB019N08N3GATMA1 | IRFB7545PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 180 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V | — |
| Drive Voltage (Rds On Max) | 6 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V | 206 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14.2 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 3.84 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 3.84 nF | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) | TO-220AB (Through-Hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Through Hole (THT) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Part Number | — | IRFB7545PBF |
| Polarity | — | N-Channel |
| VDS (Drain-Source Voltage) max | — | 60 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 380 A |
| Single-Pulse Avalanche Current (IAS) | — | 57 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Lead-Free, PBF suffix) |
| MSL لیول | — | N/A (Through-Hole) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |