IPB037N06N3GATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB037N06N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPB60R280P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB037N06N3GATMA1 IPB60R280P7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) Superjunction (SJ)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
العلبة / الحالة PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (unlimited) —
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
العلبة — PG-TO263-3 (D2PAK)
عدد الأطراف — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر