IPB037N06N3GATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB037N06N3GATMA1 מאת Infineon ו IPB60R280P7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB037N06N3GATMA1 IPB60R280P7ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) Superjunction (SJ)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
מארז / Case PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (unlimited) —
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
מארז — PG-TO263-3 (D2PAK)
מספר פינים — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר