IPB037N06N3GATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB037N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB037N06N3GATMA1 IPB60R280P7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) Superjunction (SJ)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
پیکیج / کیس PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (unlimited) —
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
پیکیج — PG-TO263-3 (D2PAK)
پن کی تعداد — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں