IPB037N06N3GATMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB037N06N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB60R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB037N06N3GATMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) Superjunction (SJ)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Paket / Kas PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (unlimited) —
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Paket — PG-TO263-3 (D2PAK)
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin