IPB038N12N3GATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB038N12N3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC027N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPB038N12N3GATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 120V | OptiMOS 3 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| العلبة / الحالة | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | -55°C to +150°C |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | — | 83 W |
| العلبة | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| مستوى MSL | — | 1 |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |