IPB038N12N3GATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB038N12N3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC027N04LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB038N12N3GATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 120V | OptiMOS 3 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| Paket / Kas | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | -55°C to +150°C |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | — | 83 W |
| Paket | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Klorürsüz | — | Yes |