IPB038N12N3GATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPB038N12N3GATMA1 توسط Infineon و BSC027N04LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPB038N12N3GATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 120V | OptiMOS 3 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C (junction) | -55°C to +150°C |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| اتلاف توان (TC=25°C) | — | 83 W |
| بسته‌بندی | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| سطح MSL | — | 1 |
| بدون هالوژن | — | Yes |