IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB120P04P4L03ATMA2 بواسطة Infineon و IPB70N10S3L12ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB120P04P4L03ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
حالة RoHS Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
العلبة / الحالة — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر