IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından Infineon ve IPB70N10S3L12ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB120P04P4L03ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Paket PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS Durumu Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
Paket / Kas — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin