IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB120P04P4L03ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPB70N10S3L12ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB120P04P4L03ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55 °C to +175 °C
پیکیج PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per Infineon product page) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS (IPB70N10)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
پیکیج / کیس — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں