IPB200N25N3GATMA1 vs IPB072N15N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB200N25N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPB072N15N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB200N25N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
العلبة PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage (V_DS) 250 V 150 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 64 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 300 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C -55 C to +175 C
حالة RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
عدد الأطراف 3 (2+tab) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) — [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed I_DM]
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 300 W
R_DS(on) typical at VGS=10V — 7.2 mOhm
R_DS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse E_AS)
Intrinsic Body Diode — Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable)
Manufacturer Ordering Code Suffix — GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر