IPB200N25N3GATMA1 vs IPB072N15N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB200N25N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB072N15N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB200N25N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 3 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage (V_DS) 250 V 150 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 64 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 300 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55 C to +175 C
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Pin Sayısı 3 (2+tab) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) — [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed I_DM]
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 300 W
R_DS(on) typical at VGS=10V — 7.2 mOhm
R_DS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse E_AS)
Intrinsic Body Diode — Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable)
Manufacturer Ordering Code Suffix — GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin