IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD50R399CPATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB60R040CFD7ATMA1 بواسطة Infineon و IPD50R399CPATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPD50R399CPATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | CoolMOS CP |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | CoolMOS CP (superjunction) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | 227 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C | — |
| العلبة | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 500 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 9 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 83 W |
| On-Resistance (R_DS(on), typ) | — | 0.399 ohm |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |
| Configuration | — | Single |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Datasheet Series | — | IPD50R399CP |