IPB60R280P7ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB60R280P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPB037N06N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB60R280P7ATMA1 IPB037N06N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $0.88 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
العلبة PG-TO263-3 (D2PAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (2 + Tab) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +175 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Part Number — IPB037N06N3GATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) Max — 3.7 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Power Dissipation (Pd) at Tc — 188 W
العلبة / الحالة — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: gate charge value]
مستوى MSL — 1 (unlimited)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to drain

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر