IPB60R280P7ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB60R280P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPB037N06N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB60R280P7ATMA1 IPB037N06N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $0,88 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (2 + Tab) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +175 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Part Number — IPB037N06N3GATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) Max — 3.7 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Power Dissipation (Pd) at Tc — 188 W
Paket / Kas — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: gate charge value]
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to drain

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin