IPB60R280P7ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB037N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB60R280P7ATMA1 IPB037N06N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $0.88 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
پیکیج PG-TO263-3 (D2PAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +175 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Part Number — IPB037N06N3GATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) Max — 3.7 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Power Dissipation (Pd) at Tc — 188 W
پیکیج / کیس — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: gate charge value]
MSL لیول — 1 (unlimited)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to drain

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں