IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P405ATMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB70N10S3L12ATMA1 بواسطة Infineon و IPD90P04P405ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB70N10S3L12ATMA1 IPD90P04P405ATMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة / الحالة PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C (Tj)
العلبة — PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر