IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P405ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB70N10S3L12ATMA1 tarafından Infineon ve IPD90P04P405ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB70N10S3L12ATMA1 IPD90P04P405ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket / Kas PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
Klorürsüz Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C (Tj)
Paket — PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin