IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P405ATMA2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB70N10S3L12ATMA1 מאת Infineon ו IPD90P04P405ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 - P-Channel 40V 90A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90P04P405ATMA2 - P-Channel 40V 90A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90P04P405ATMA2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB70N10S3L12ATMA1 IPD90P04P405ATMA2
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז / Case PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
נטול הלוגנים Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +175 °C (Tj)
מארז — PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר