IPB90N06S4L04ATMA2 vs IPB120N10S405ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB90N06S4L04ATMA2 بواسطة Infineon و IPB120N10S405ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 ✓ نشط
Infineon
IPB120N10S405ATMA1 IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPB90N06S4L04ATMA2 IPB120N10S405ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB90N06S4L04ATMA2 —
Technology OptiMOS T2, N-channel enhancement mode Enhancement Mode (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) 360 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 150 W —
On-State Resistance R_DS(on) (typ @ VGS=10V) 3.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK) Surface Mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (unlimited floor life) —
Peak Reflow Temperature 260 °C 260 C
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested 100% (production-screened)
RoHS / Halogen-Free Yes (Green Product) —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 190 W
On-Resistance R_DS(on) (typ) — 5 mΩ at VGS=10 V
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (unlimited floor life at ≤30 C / 85% RH)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
Gate Threshold Voltage (typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr - body diode]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر