IPB90N06S4L04ATMA2 vs IPB120N10S405ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPB90N06S4L04ATMA2 bằng Infineon và IPB120N10S405ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 ✓ Hoạt động
Infineon
IPB120N10S405ATMA1 IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 - 100V 120A 5mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IPB120N10S405ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPB90N06S4L04ATMA2 IPB120N10S405ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB90N06S4L04ATMA2 —
Technology OptiMOS T2, N-channel enhancement mode Enhancement Mode (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) 360 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 150 W —
On-State Resistance R_DS(on) (typ @ VGS=10V) 3.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Hộp PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK) Surface Mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL MSL1 (unlimited floor life) —
Peak Reflow Temperature 260 °C 260 C
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested 100% (production-screened)
RoHS / Halogen-Free Yes (Green Product) —
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 120 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 190 W
On-Resistance R_DS(on) (typ) — 5 mΩ at VGS=10 V
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (unlimited floor life at ≤30 C / 85% RH)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
Gate Threshold Voltage (typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr - body diode]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá