IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC100N04S5L1R1ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPC70N04S5L4R2ATMA1 بواسطة Infineon و IPC100N04S5L1R1ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPC70N04S5L4R2ATMA1 - 40V 70A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPC70N04S5L4R2ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
العلبة PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested 100% (60 A production test) 100% avalanche tested
حالة RoHS Compliant (Green Product) —
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-5 40 V
نوع الترانزستور — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.1 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic Level
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر