IPC70N04S5L4R2ATMA1 vs IPC100N04S5L1R1ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPC70N04S5L4R2ATMA1 tarafından Infineon ve IPC100N04S5L1R1ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPC70N04S5L4R2ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 70 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 50 W —
R_DS(on) Max @ Vgs=10V 4.2 mΩ (typ) —
Gate Threshold (Vgs(th)) Logic Level (4.5 V max Rds On, Min Rds On) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5 V —
Paket PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Operating Temperature (Tj) -55°C to +175°C —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260°C peak reflow) MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested 100% (60 A production test) 100% avalanche tested
RoHS Durumu Compliant (Green Product) —
Configuration Single with Built-in Diode —
Case Connection DRAIN —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-5 40 V
Transistor Türü — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.1 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic Level
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin