IPD031N06L3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD031N06L3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC039N06NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD031N06L3GATMA1 BSC039N06NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (TrenchFET-style)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 OptiMOS 5
مستوى MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (PD) — 69 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
عدد الدبابيس — 8
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر