IPD031N06L3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD031N06L3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC039N06NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD031N06L3GATMA1 | BSC039N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | — |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +175°C | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| MSL লেভেল | 1 (Unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (PD) | — | 69 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55C to +150C |
| পিনের সংখ্যা | — | 8 |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |