IPD031N06L3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD031N06L3GATMA1 bằng Infineon và BSC039N06NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSC039N06NSATMA1 - 60V 3.9mΩ 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSC039N06NSATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD031N06L3GATMA1 | BSC039N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | — |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C | — |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| Cấp MSL | 1 (Unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (PD) | — | 69 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +150C |
| Số lượng chân | — | 8 |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |