IPD031N06L3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD031N06L3GATMA1 توسط Infineon و BSC039N06NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD031N06L3GATMA1 BSC039N06NSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (TrenchFET-style)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C —
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 OptiMOS 5
سطح MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (PD) — 69 W
دمای اتصال کاری — -55C to +150C
تعداد پین‌ها — 8
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت