IPD031N06L3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD031N06L3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC039N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD031N06L3GATMA1 BSC039N06NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (TrenchFET-style)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V —
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 OptiMOS 5
MSL Seviyesi 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (PD) — 69 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Pin Sayısı — 8
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin