IPD031N06L3GATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD031N06L3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC039N06NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD031N06L3GATMA1 | BSC039N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | — |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +175°C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| MSL لیول | 1 (Unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (PD) | — | 69 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| پنز کی تعداد | — | 8 |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |