IPD046N08N5ATMA1 vs IPD78CN10NGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD046N08N5ATMA1 بواسطة Infineon و IPD78CN10NGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD046N08N5ATMA1 | IPD78CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | 78 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة / الحالة | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| حالة RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Series | — | OptiMOS 2 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 13 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C | — | 31 W |
| Operating Junction Temperature Max | — | 175 C |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab |
| Lead Plating | — | Pb-free (Matte Tin) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per JEDEC1 for target application |