IPD046N08N5ATMA1 vs IPD78CN10NGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD046N08N5ATMA1 tarafından Infineon ve IPD78CN10NGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD046N08N5ATMA1 | IPD78CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | 78 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket / Kas | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| RoHS Durumu | ROHS3 Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| Series | — | OptiMOS 2 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 13 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C | — | 31 W |
| Operating Junction Temperature Max | — | 175 C |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab |
| Lead Plating | — | Pb-free (Matte Tin) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per JEDEC1 for target application |