IPD082N10N3GATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD082N10N3GATMA1 بواسطة Infineon و BSZ011NE2LS5IATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD082N10N3GATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
العلبة / الحالة PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes Yes
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
العلبة — PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر