IPD082N10N3GATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD082N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ011NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD082N10N3GATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C —
پیکیج / کیس PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes Yes
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C
پیکیج — PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں