IPD082N10N3GATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD082N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve BSZ011NE2LS5IATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD082N10N3GATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket / Kas PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes Yes
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C
Paket — PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin