IPD320N20N3GATMA1 vs IPD200N15N3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD320N20N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPD200N15N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD320N20N3GATMA1 | IPD200N15N3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 34 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 32 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C (Tj) | — |
| العلبة | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Channel Mode | Enhancement mode | — |
| Gate Threshold Level | Normal level (per datasheet title) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD200N15N3GATMA1 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 150 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +175 C |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| مستوى MSL | — | 1 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |