IPD320N20N3GATMA1 vs IPD200N15N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD320N20N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD200N15N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD320N20N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS 3 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 34 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 32 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (Tj) —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Channel Mode Enhancement mode —
Gate Threshold Level Normal level (per datasheet title) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD200N15N3GATMA1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 150 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
MSL Seviyesi — 1
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin