IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R145CFD7ATMA1 بواسطة Infineon و IPD60R380C6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R380C6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) CoolMOS C6 Superjunction
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
العلبة TO-252AA (DPAK) surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
نوع التركيب Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر