IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60R145CFD7ATMA1 द्वारा Infineon और IPD60R380C6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R145CFD7ATMA1 ✓ सक्रिय
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IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R380C6ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) CoolMOS C6 Superjunction
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
पैकेज TO-252AA (DPAK) surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
ऑपरेटिंग तापमान -55C to +150C (junction) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
पिन काउंट 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

डेटाशीट और संसाधन

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