IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R145CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R380C6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R380C6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) CoolMOS C6 Superjunction
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
پیکیج TO-252AA (DPAK) surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں