IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R145CFD7ATMA1 מאת Infineon ו IPD60R380C6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R380C6ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) CoolMOS C6 Superjunction
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
מארז TO-252AA (DPAK) surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) —
סוג הרכבה Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר