IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R145CFD7ATMA1 توسط Infineon و IPD60R380C6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R380C6ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) CoolMOS C6 Superjunction
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
دمای کاری -55C to +150C (junction) —
نوع نصب Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت