IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPL60R060CFD7AUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R145CFD7ATMA1 بواسطة Infineon و IPL60R060CFD7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD60R145CFD7ATMA1 IPL60R060CFD7AUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
العلبة TO-252AA (DPAK) surface mount PG-VSON-4-1 (Surface Mount)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
نوع التركيب Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS™ CFD7
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL Level]
حالة RoHS Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 219 W
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V — 60 mΩ
R_DS(on) (typ, datasheet) — 48 mΩ
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V — 79 nC
Input Capacitance (C_iss) — 3193 pF
Output Capacitance (C_oss) — 62 pF
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 4.5 V
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +150 °C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر