IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPL60R060CFD7AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R145CFD7ATMA1 tarafından Infineon ve IPL60R060CFD7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R145CFD7ATMA1 IPL60R060CFD7AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
Paket TO-252AA (DPAK) surface mount PG-VSON-4-1 (Surface Mount)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
Montaj Türü Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS™ CFD7
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL Level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 219 W
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V — 60 mΩ
R_DS(on) (typ, datasheet) — 48 mΩ
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V — 79 nC
Input Capacitance (C_iss) — 3193 pF
Output Capacitance (C_oss) — 62 pF
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 4.5 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40 °C to +150 °C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin